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电子元器件详细资料 » IC[25744] » MUN5311DW1T1
型号:MUN5311DW1T1类别:晶体管(BJT) - 阵列﹐预偏压式制造商:ON Semiconductor
封装:6-TSSOP,SC-88,SOT-363描述:TRANS BRT DUAL 100MA 50V SOT363

详细参数

类别晶体管(BJT) - 阵列﹐预偏压式
描述TRANS BRT DUAL 100MA 50V SOT363
系列-
制造商ON Semiconductor
晶体管类型1 个 NPN,1 个 PNP - 预偏压式(双)
电流_集电极(Ic)111最大222100mA
电压_集电极发射极击穿111最大22250V
电阻器_基极(R1)111欧22210k
电阻器_发射极(R2)111欧22210k
在某IceeeVce时的最小直流电流增益(hFE)35 @ 5mA,10V
IbeeeIc条件下的Vce饱和度111最大222250mV @ 300µA,10mA
电流_集电极截止111最大222500nA
频率_转换-
功率_最大250mW
安装类型表面贴装
封装/外壳6-TSSOP,SC-88,SOT-363
供应商设备封装SOT-363
包装剪切带 (CT)

供应商

深圳市励芯恒智能科技有限公司雷先生0755-23487994
芯惠(深圳)电子科技有限公司肖0755-82525087
辉华拓展杨泽鹏0755-83202411
深圳市昭兴微电子有限公司林裕忠0755-23991909
北京元坤国际科技有限公司何小姐086-010-62962871、62104931、 62106431、62104891、62104791
深圳瞄钧科技有限公司张小姐 李小姐0755-82727462 /83794860
深圳青禾创新科技有限公司曾先生086-0755-82778126
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